锑化物半导体**阱激光器研究获得重要进展
近年来,牛智川研究员带领的研究团队在973重大科学研究计划、自然科学基金委重大项目及项目等的支持下,深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,系统性掌握了锑化物**阱、**晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法,在突破了锑化物**阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上,创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB是目前同类器件的高值,同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)发表后立刻被国际《化合物半导体,Compound Semiconductor 2019年*2期》长篇报道,指出:“该单模激光器开创性提升边模抑制比,为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。
该技术拓展了3μm激光光源,为科研与应用提供了新工具,已在激光牙组织消融上进行了实验,取得了较好的效果。相关研究成果已发表在国际学术Infrared Physics & Technology上。
QBH铠装管产品主要应用于激光器、电力、通信、汽车、船舶、航空、建筑工程的线路保护和气、液体塑性管材的外层保护。公司根据自制设备的特点,成功的开发了可适用各种不同材质的金属片材进行生产,材质有:不锈钢、镁铝合金、环保钢和精制黄铜等。产品规格从3mm—104mm,且填补了国内管径6mm以下保护管的空白。据了解,国内各行业线路保护及气、液体高低压塑性内管的保护一直沿用的是原始的普通金属软管,这种管材在抗拉、抗压、防脱、披覆的要求上始终无法达到行业规范,并且存在着大的隐患。
为了凸显公司产品与市场上其他QBH铠装管的不同,在我司实验室内进行了一系列的产品对比测试。测试项目有:拉力、压力、疲劳、撞击、阻燃、电阻、绝缘、高低温、硫酸铜、防脱钩等。
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