产品介绍
在锑化物**阱大功率激光器方面,研究团队创新采用数字合金法生长波导层等关键技术,研制成功2μm波段的InGaSb/AlGaAsSb应变**阱大功率激光器,其单管器件的室温连续输出功率达到1.62瓦、巴条(线阵)激光器组件的室温连续输出功率16瓦,综合性能达到国际一流水平并突破国外高功率半导体激光器出口限制规定的性能条款。
巴塔查里亚表示,这一装置具有广泛的应用前景,特别是在光学激光有如此多的应用场景,如在传感和信息处理方面的应用,并且其应用前景仍在不断拓展。
GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结**阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm~4.0μm的短波红外区域,与该波段的其它激光材料体系相比其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有*特的优势。
据外媒报道,来自罗彻斯特理工学院(RIT)和罗彻斯特大学的研究人员,通过诺贝尔奖获得者Arthur Ashkin发明的激光镊技术,开发出了一种新型声子激光器。
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