产品介绍
对于使用该设备探索基础**物理学有着极大兴趣的Mishkat Bhattacharya教授表示:“我们非常高兴能看到这种设备的各种新用途,特别是对于传感和信息处理而言,因为光学激光器具备众多应用,并且还在不断发展。”
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GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结**阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm~4.0μm的短波红外区域,与该波段的其它激光材料体系相比其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有*特的优势。
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华光光电凭借在半导体激光器领域深耕多年的丰富经验和坚实技术基础,依托自产高功率芯片的核心优势,完成高功率芯片封装、光学合束和光纤耦合等关键技术的开发,成功推出高功率直接半导体激光器系统,输出功率覆盖1000瓦到10000瓦,并实现光纤输出。产品可应用于激光熔覆、表面处理、焊接等领域,现已部分投入市场。
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针对以上问题,研究人员使用在3μm波段具有相对低的泵浦阈值、较高斜率效率的Er:YSGG激光晶体,采用966 nm半导体激光器(LD)作为泵浦源,使得泵浦光发射带与激光晶体铒离子吸收带具有很好的光谱匹配,提高了泵浦效率,降低激光晶体热效应。通过谐振腔优化设计补偿热透镜效应,使用2.79 μm高损伤阈值的非偏振TeO2声光调Q开关,避免了电光调Q热退偏效应带来的损耗。在重复频率100-300Hz条件下,获得2.79μm高重频调Q激光输出,其中较大激光脉冲能量达到1mJ,较高峰值功率达13.2 kW@76 ns。
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