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研究团队发现，在微波光子学中，将半导体激光器发出的光通过光学频率梳之后再发送到光电探测器上，产生微波辐射。若将激光、探测器和天线集成在同一个设备中，除了可以产生微波之外，通过调制半导体激光器的电流从而调制载波携带信号。而且天线向自由空间辐射时，另一侧的工作方向可以接收外部的射频信号。

GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结**阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm～4.0μm的短波红外区域，与该波段的其它激光材料体系相比其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有*特的优势。

近年来，牛智川研究员带领的研究团队在国家973重大科学研究计划、国家自然科学基金委重大项目及重点项目等的支持下，深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等，系统性掌握了锑化物**阱、**晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法，在突破了锑化物**阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上，创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC－DFB）结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器，边模抑制比达到53dB是目前同类器件的较高值，同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl．Phys．Lett．114，021102（2019）发表后立刻被国际*《化合物半导体，Compound Semiconductor 2019年*2期》长篇报道，指出：“该单模激光器开创性提升边模抑制比，为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。