针对以上问题,研究人员使用在3μm波段具有相对低的泵浦阈值、较高斜率效率的Er:YSGG激光晶体,采用966 nm半导体激光器(LD)作为泵浦源,使得泵浦光发射带与激光晶体铒离子吸收带具有很好的光谱匹配,提高了泵浦效率,降低激光晶体热效应。通过谐振腔优化设计补偿热透镜效应,使用2.79 μm高损伤阈值的非偏振TeO2声光调Q开关,避免了电光调Q热退偏效应带来的损耗。在重复频率100-300Hz条件下,获得2.79μm高重频调Q激光输出,其中较大激光脉冲能量达到1mJ,较高峰值功率达13.2 kW@76 ns。
产品型号:
型号 内径(mm) 外径(mm) 披覆后 外径(mm)
ZJ030M060 3 5 6
ZJ040M070 4 6 7
ZJ045M080 4.5 6.5 8
ZJ046M080 4.6 6.6 8
ZJ080M130 8 10 13
2.79μm高重复频率高峰值功率调Q激光器研究中取得进展
近年来,牛智川研究员带领的研究团队在国家973重大科学研究计划、国家自然科学基金委重大项目及重点项目等的支持下,深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,系统性掌握了锑化物**阱、**晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法,在突破了锑化物**阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上,创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB是目前同类器件的较高值,同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)发表后立刻被国际*《化合物半导体,Compound Semiconductor 2019年*2期》长篇报道,指出:“该单模激光器开创性提升边模抑制比,为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。